开云-英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革

[导读]【2024年9月11日，德国慕尼黑和奥地利菲拉赫讯】英飞凌科技股分公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）今天公布，已成功开辟出全球首项300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆手艺。英飞凌是全球首家在现有且可扩大的年夜范围出产情况中把握这一冲破性手艺的企业。这项冲破将极年夜地鞭策GaN功率半导体市场的成长。相较在 200 mm晶圆，300 mm晶圆芯片出产不但在手艺上更进步前辈，也由于晶圆直径的扩年夜，每片晶圆上的芯片数目增添了 2.3 倍，效力也显著提高。 【2024年9月11日，德国慕尼黑和奥地利菲拉赫讯】英飞凌科技股分公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）今天公布，已成功开辟出全球首项300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆手艺。英飞凌是全球首家在现有且可扩大的年夜范围出产情况中把握这一冲破性手艺的企业。这项冲破将极年夜地鞭策GaN功率半导体市场的成长。相较在 200 mm晶圆，300 mm晶圆芯片出产不但在手艺上更进步前辈，也由于晶圆直径的扩年夜，每片晶圆上的芯片数目增添了 2.3 倍，效力也显著提高。 300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆 基在GaN的功率半导体正在工业、汽车、消费、计较和通讯利用中快速普和，包罗AI系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器和机电节制系统等。进步前辈的GaN制造工艺可以或许提高器件机能，为终端客户的利用带来诸多益处，包罗更高的效力、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总本钱。另外，凭仗可扩大性，300 mm制造工艺在客户供给方面具有极高的不变性。 英飞凌科技首席履行官Jochen Hanebeck暗示：“这项重年夜成功是英飞凌的立异实力和全球团队尽力工作的成果，进一步揭示了我们在GaN和功率系管辖域立异带领者的地位。这一手艺冲破将鞭策行业变化，使我们可以或许充实发掘GaN的潜力。在收购GaN Systems近一年后，我们再次揭示了在快速增加的GaN市场成为带领者的决心。作为功率系管辖域的带领者，英飞凌把握了全数三种相干材料，即：硅、碳化硅和氮化镓。” 英飞凌科技首席履行官Jochen Hanebeck 英飞凌已在其位在奥地利菲拉开云体育app赫（Villach）的功率半导体晶圆厂中，操纵现有300 mm硅出产装备的整合试产线，成功地出产出300 mm GaN晶圆。英飞凌正经由过程现有的 300 mm硅和 200 mm GaN的成熟产能阐扬其优势，同时还将按照市场需求进一步扩年夜GaN产能。凭仗300 mm GaN制程手艺，英飞凌将鞭策GaN市场的不竭增加。据估量，到2030年底，GaN市场范围将到达数十亿美元。 英飞凌位在奥地利菲拉赫（Villach）的功率半导体晶圆厂 这一首创性的手艺成绩彰显了英飞凌在全球功率系统和物联网半导体范畴的带领者地位。英飞凌正经由过程结构300 mm GaN手艺，打造更具本钱效益价值、可以或许知足客户系统全方位需求的产物，以增强现有解决方案并使新的解决方案和利用范畴成为可能。2024年11月，英飞凌将在慕尼黑电子展（electronica）上向公家展现首批300 mm GaN晶圆。 因为GaN和硅的制造工艺十分类似，是以300 mm GaN手艺的一年夜优势是可以操纵现有的 300 mm硅制造装备。英飞凌现有的多量量300 mm硅出产线很是合适试产靠得住的GaN手艺，既加速了实现的速度，又可以或许有用操纵本钱。300 mm GaN的全范围化出产将有助在实现GaN与硅的本钱在统一RDS(on) 级别可以或许接近，这意味着同级的硅和GaN产物的本钱将可以或许持平。 300 mm GaN是英飞凌计谋立异带领地位的又一里程碑，将助推英飞凌低碳化和数字化任务的告竣。

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